《我！子孫滿堂，打造頂級家族！》全本免費閱讀
4月2日。
琅琊鎮，濱海大學。
大型學術報告廳內。
一場重磅的新聞發布會，正在進行。
上百位媒體記者到場參加，場麵極其隆重。
前排座位席上。
坐著許多物理和化學領域的業界大咖、兩院院士。
現場主持人，開口道：“女士們，先生們，歡迎出席濱海大學重磅科研成果發布會&學術會議。
濱海大學是一所創建沒多久的學校，但我校擁有多位學術大咖。
比如，濱海大學副校長、夏國科學院院士、黎曼猜想證明者——趙玉秀院士。
比如，濱海大學副校長、夏國科學院副院長、諾貝爾物理學獎得主、國家最高科學技術獎得主——李明陌院士。
比如，濱海大學物理學院新任院長、夏國科學院院士、諾貝爾物理學獎得主、國家最高科學技術獎得主——李子華院士。
而就在今天。
李明陌院士、李子華院士，以及濱海大學校長李子奕，將公布最新的科研成果，請大家掌聲鼓勵！”
話音落下。
現場掌聲陣陣，經久不息。
李子華、李明陌、趙玉秀、李子奕，都是濱海李家人，在外界享譽盛名。
就憑幾人的咖位。
他們肯定能發布讓學術界為之轟動的科研成果！
……
接下來。
李明陌率先上台。
他環顧四周，開口道：“眾所周知，矽是目前應用最廣泛的半導體材料，達到芯片製造所需要的99.99999999%純度。
不過，隨著芯片小型化發展。
矽的短板與市場需求的矛盾也日益突出，例如傳導熱量性能不佳、空穴遷移率不夠高等。
科學界，一直在探索半導體新材料，例如砷化镓、氮化镓、碳化矽、金剛石、氧化鋅、氮化鋁等。
近段時間，我驗證出一種比矽導電導熱性能更佳、有望替代矽的材料——立方砷化硼（c-BAs）。
通過瞬態反射顯微成像測定。
立方砷化硼的高雙極性遷移率，達到1550cm2V1s1。
立方砷化硼的室溫下高熱導率，達到1300Wm1K1。
這兩個數據，說明立方砷化硼的合成，不需要高溫高壓，在大尺寸製造方麵，可以滿足工業需求。
從業界的角度來看。
芯片的散熱問題嚴重阻礙了其運算速度。
立方砷化硼，能解決當前芯片散熱的瓶頸問題。
事實的確如此。
我在實驗室裡，已經將立方砷化硼應用到稍大尺寸的二極管、三極管和場效應晶體中。
同時，我和濱海芯片有限公司達成合作，已經將立方砷化硼應用至芯片裡。
數據現實，立方砷化硼性能非常出眾，是目前為止性能最好的半導體材料。
它能替代現有的矽基元器件，掀起新一輪的芯片半導體革命……”
新一輪芯片半導體革命？
在場眾人都雙眼放光。
諾獎得主李明陌院士，又取得了重磅級科研突破！
暫且不說半導體領域的變革。
光是這份科研成果。
就已經是諾獎級彆的成就！
李明陌院士，已經獲得過諾貝爾物理學獎。
但不遠的將來。
他或許能獲得人生中第二次諾貝爾物理學獎！
……