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自從《探索》期刊發布了兩篇和碳基芯片相關的論文以來，矽基半導體產業界就像是海底噴發的火山般，掀起了驚天駭浪。
碳基芯片技術突破，矽基芯片即將落幕。
這一驚天動地的消息，還是由當今學術界最出名的徐川教授親手公開的，這對於全世界任何一個國家來說都是爆炸性的消息。
這幾天以來，無論是以米國為首的西方國家，還是掌握了矽基半導體產業鏈的民間資本，都陷入了一陣恐慌中。
幾乎所有人都在擔心，資本家在擔心碳基芯片取代矽基芯片，擔心碳基半導體占據矽基半導體的市場，自己失去壟斷的地位和無儘的財富。
而普通人也在擔心，擔心自己隨時被公司企業裁員。
畢竟矽基芯片與矽基半導體產業一旦開始落幕，那麼占據著這個龐大無比市場的資本必然會從中撤離。
而裁員，往往是最有效的方法之一。
市場不再廣袤，還養著那麼多人做什麼？
一時間，整個依賴矽基半導體產業為生的群體，都人心惶惶的。
從普通員工到公司中高層，乃至頂層拿著股份的打工皇帝或者資本，都在恐懼著未來。
不過就在這時，針對碳基芯片技術突破的質疑，猶如雨後春筍一般冒了出來。
而首先提出相關質疑的，是世界著名的半導體技術與科學雜誌《JSTS期刊》。
該期刊的旨在為從事更廣泛集成電路技術的研發人員提供一個論壇和交流討論的地方，提高整體超大規模集成電路技術。
JSTS的主編在對外接受采訪的時候表示，《探索》上公開的兩篇論文可能存在嚴重的問題。
他們聯合了米國加州理工大學半導體領域的頂尖大牛霍布斯·韋伯斯特教授一起研究了《探索·總刊》，發現上麵公開的數據存在著異常情況。
比如《探索·總刊》公開的實驗數據中，碳基芯片的熱設計功耗TDP僅僅隻有30W，而主頻卻高達5.8GHz
即便是碳基材料在半導體領域有著優勢，但按照數據推算，成品碳基芯片也不可能達到如此誇張的性能數據。
為此，他們還給出了完整的模擬計算數據和性能，按照每平方毫米集成一千萬顆碳基晶體管的數據，模擬出來的碳基芯片在性能上僅僅隻有論文上的一半不到。
簡而言之，《探索·總刊》上公開的論文上的實驗數據，可能存在編造和誇大的情況。
不得不說，在半導體領域，《JSTS期刊》的影響力還是相當大的，當這篇采訪報道出來的時候，立刻就在半導體技術與科學論壇上掀起了不小的討論。
在不少從事矽基半導體產業研究的學者或科研人員看來，加州理工大學霍布斯·韋伯斯特教授公開的這份模擬數據的確很有意思。
碳基芯片的性能究竟能達到一個怎樣的層次，《探索·總刊》上的實驗數據到底有沒有造假，在這個本就占據了熱搜的時間點，掀起了不小的討論。
而公開站出來質疑和表態的，也並不單單是《JSTS期刊》一家。
針對《探索·總刊》上的實驗數據，許多半導體領域的大牛或頂級的企業都表示自己正在進行研究和模擬實驗，並且對碳基芯片能否做到這個程度表示了極大的質疑。
甚至包括半導體領域最具權威的期刊雜誌《IEEE》，並且還是由電氣和電子工程師協會的副理事長對外接受了采訪，表示IEEE對《探索·總刊》的實驗數據存在疑惑
並且IEEE希望做出這枚碳基芯片的星海研究院能夠配合電氣和電子工程師協會的調查，或者是提供基礎芯片樣本，以進行實驗測試。
當IEEE這個半導體領域最具權威的期刊雜誌都公開站出來表達後，整個半導體領域都沸騰了起來。
無論是業內，還是界外，對於碳基芯片的討論，再度熱鬨了起來。
【.一群蠢貨！看吧，我早就說碳基芯片根本就不可能取代矽基芯片，這東西就像是元宇宙一樣，以現在的科技發展根本就不可能做到！】
【我更懷疑是否真的研究出來了碳基芯片，畢竟要知道研究這項技術的有太多太多了，比如英特爾、高通、AMD在內全球那麼多家優秀的半導體企業，在碳基芯片上幾乎都沒有進展，而星海研究院一家能源研究所，從未涉及過芯片的實驗室突然宣布自己完成了碳基芯片.就算是公開這個消息的是那位徐教授，我也保持質疑的態度。】
【如果說《探索·總刊》上的那篇論文是徐教授署名的第一作者，我可能還會相信，但僅僅是掛名一個通訊作者.我甚至懷疑他有沒有認真的考察過裡麵的實驗數據。】
【e=(o｀*)唉，看樣子徐教授也在走其他期刊的老路了，《探索》這麼好的一個期刊，居然也會刊登這種論文，簡直辱沒了強電統一理論！】
【或許徐教授並沒有親自審核這篇論文呢？畢竟他又不是半導體領域的學者，可能是《探索》找的外麵的學者做的審核？】
【但我不相信他對於這件事一點都不知情。】
不得不說，在半導體領域，這些老牌企業和西方利益集團的實力的確相當的誇張。
無論是媒體，還是學術界，亦或者是半導體產業界，都有大批的人甚至不乏頂尖的學者與公司企業快速的站了出來，進行站台、支持和反對。
短短兩三天的時間，互聯網上，學術界甚至是產業界內部的風聲便已經完全反轉了。
從一開始眾人對碳基芯片的期待，再到大部分人都開始質疑《探索·總刊》論文上的實驗數據可能存在編造。
這些掌握著世界傳播媒體的西方利益集團和占據著矽基半導體產業鏈的國家與企業，這一次尋找到的突破點或者說‘抹黑點’確實相當的犀利。
他們並沒有去質疑《探索·材料學》上有關於高密集成碳納米管陣列這項核心技術難題是否已經真實的突破了。
而是選擇了對《探索·總刊》上的碳基芯片數據進行了質疑。
一方麵，這篇論文是僅僅是徐川掛名的通訊作者，而非第一作者。對於外界來說，這意味著可能是隻是借助那位徐教授的名氣，或者說是掛在他名下的一個科研項目，而非他本人親自研究的。
甚至那位徐教授可能都沒有完全了解過碳基芯片的具體參數、性能指標等等。
畢竟是否是他本人親自完成的，對於學術界和外界來說是兩個完全不同的概念。