3納米極紫外光？
檢測光束設備給出的數據反饋讓所有人大吃一驚，3納米的極紫外光束，這豈不是說他們即將具備製造3納米芯片的條件？
眾所周知，在不考慮《多重曝光技術》的情況下，想要刻出幾納米級的芯片，就要先製造出多少納米的紫外光光源。
193納米的深紫外光還好說，大自然裡麵也能找得到，但13.5納米及以下的極紫外光，那就必須由人為創造。
深紫外光和極紫外光，和分彆對應了DUV光刻機和EUV光刻機，後者現在還處於禁止出口龍國的設備清單裡麵。
一旦這束光源被證實，確實是可以運用於光刻的極紫外光，那麼整個芯片行業都將被顛覆。
“真是3納米嗎？”
夏揚神色激動，向前一步。
他大學雖然學的不是半導體，但這並不代表他不懂芯片製造。
想要光刻14納米芯片，就要製造13.5納米波長的極紫外光，這在各種半導體谘詢媒體鋪天蓋地宣傳下，早已經人儘皆知。
3納米波長？
豈不是能刻3納米芯片？
雷兵也忍不住上前一步，詢問道：“這束光能用嗎？如果能用是不是意味著我們能造3納米芯片了？”
現在主流芯片是14納米，無論是龍興科技的SOC上帝芯片，還是蘋果公司的A9s仿生芯片，亦或者說是髙通公司剛剛推出的驍龍821芯片，它們都是14納米製程，根本夠不著3納米的邊邊。
要是真能造3納米芯片，那可不是小小的科技震撼，而是向整個半導體芯片行業扔了個蘑菇彈，要顛覆整個行業的事情了。
“不能這樣說。”
陳星從震撼中回過神，給雷兵與夏揚講解道：“具備光源還不夠，如果真要造3納米芯片，我們還要經曆芯片設計與研製光刻膠。”
在半導體領域，可不僅僅光刻機和紫外光有納米等級，光刻膠同樣有納米等級區分。
像目前龍興化工研製的1號光刻膠，它的曝光波長就在193納米，最高支持7納米芯片製造，這還是有多重曝光技術加持的情況下。
想要製造出3納米芯片，3納米極紫外光、3納米芯片電路設計、3納米曝光波長光刻膠缺一不可，這也是為什麼，芯片納米等級推進緩慢的原因。
每推進一步，都需要各行業跟進，一旦說光刻膠不行，那有極紫外光和電路設計圖也沒用。
正因為技術門檻高，大洋彼岸才能用芯片做文章。
“總裁說得沒錯。”林天也給予了肯定，他回頭看向兩位局長道：“現在說3納米芯片還為時過早，不過我們可以先試試這13.5納米波長的極紫外光，看看它能不能滿足芯片生產需求。”
“這句話在理。”
“確實是我們操之過急了。”
雷兵和夏揚點了點頭。
他們屬於是懂一點，但並不知道半導體芯片領域可不僅僅隻有極紫外光，還有N多的細枝末節，隻有全部攻克才能造出芯片。
“趁著天沒亮，我們儘快測試光束的可行性吧。”陳星提醒一句。
他們現在可是關了全深城的電力供應，哪怕是淩晨4點鐘，但依然會對城市造成影響。
“我馬上操作。”
林天點了點頭回應道。
剛說完，他立馬看向設備操控台，開始輸入指令，時不時還跑到一側去操作。
光刻工廠不同於光刻機，它更像是一條完整的自動化流水線，隻需要裝填半導體矽片以及光刻膠與配套試劑，輸入指令後就可以進行自動化生產。
林天在檢驗了十幾束13.5納米波長的極紫外光後，也發現了單色性最好的一條光束，將它設定為1號光刻區域。
又經過了十分鐘的參數調試，排除外故障情況，林天輸入了確定工作的指令。
下一秒。
運輸裝置自動取片。
存放在特定區域的半導體矽片被靜電吸盤吸起，運送到清洗區域，洗掉附著在半導體矽片表麵的灰塵和雜質。
在清洗完成以後，半導體矽片會通過特殊運輸通道，運往下一個步驟進行烘烤，待半導體矽片徹底乾燥將繼續運往下一個步驟，塗抹光刻膠。
自動取片。
自動清洗。
自動塗膠。
自動光刻。
這就是光刻工廠，亦或者說光刻全自動工廠。
兩塊光掩膜版已經重疊，他們在特定
這也是為什麼第一期的光刻工廠隻有5000平的原因，因為建造太大也沒用，像靜電吸盤和各類自動化運輸的設備，都是需要定製化購買的，關鍵有些設備國內還沒有，比如靜電吸盤設備。
第一期相當於測試，等測試通過就可以擴建二期、三期甚至是第四期的光刻工廠。
當然了。
前提是可以能光刻成功。
“我們沒有單獨完整的SOC上帝芯片光掩膜版，隻能用兩塊陰陽掩膜版堆疊在一塊形成完整圖案，這又會出現個問題。”
林天喃喃自語。
像似給陳星幾人解釋，又像似說給自己聽。
“那就是兩塊光掩膜版堆疊，兩塊透明基板會削弱極紫外光能量，導致光刻失敗。”
“為了解決這個問題，我加大了粒子加速器的功率，讓電子運動的速度再次增加。”
“理論上來說，運行功率的加大，會同步放大電子運動的速度，電子在環形存儲器的速度越快，輻射出的極紫外光能量就越強，但我並不能確定這個數值是不是正確的，隻能說理論可行。”
光刻工廠沒有人測試過，誰也不知道行不行。
現在又因為光掩膜版限製，林天隻能加大功率，這給測試又增添了不小的難度。
“試試就知道了。”
陳星默默舉起手機拍攝。
雖然他們在操控室，但麵前的屏幕有顯示潔淨室的畫麵，根本不需要親自前往。
林天微微頷首，沒有說話，他雙眸注視著監控畫麵，神色也顯得格外緊張。
烘乾冷卻，塗滿光刻膠的半導體矽片已經被運往了光刻區域，隻剩下最後的光刻步驟。
隨著透鏡組移動到指定位置，13.5納米波長的極紫外光發生了折射，精準地照射在兩塊圖案互補的光掩膜版上，而光掩膜版上麵的完整圖案被照射後，最終落到待曝光的半導體矽片表麵。
“滋——”
ArF光刻膠遇到光源，內部開始發生化學反應。
而ArF光刻膠又分正膠和反膠，這次曝光用的是正膠，被曝光區域的光刻膠會發生化學反應，沒曝光區域則不受到影響。