之所以孫祖傑這麼牛逼轟轟。敢做這樣的賭博。就是因為孫祖傑在八十年代投資啟動研究的幾款激光器。尤其是ArF 193nm激光器終於在1997年開發成功。這是一個具有戰略意義的重大突破。
而最先進的極紫外光EUV技術。華國經過長期不懈的攻關。目前也已經取得了不少的成果。
之所以在光源上取得突破。原因就是華國的激光技術一直處於世界一流水準。有了不少投資。又有了明確的方向。取得發展是必然的。
華吉光電所搞出的激光器雖然功率低了一些。但是勉強可以使用。這也迫使倭美兩國不得不陸續放棄了對華國在這一領域的技術封鎖。
孫祖傑對他們取得的成功非常高興。華投緊接著又撥給他們一千萬華元資金。要求ArF 193nm激光器必須達到西方同等水平。
但是光源隻是光刻機一小部分。作為最尖端的機電一體化產品。華國自產的光刻機最大的問題就是套刻精度不夠和生產效率不行。
套刻精度與光刻分辨力密切相關。如果要達到0.10μm的光刻分辨力。根據33%法則要求套刻精度不低於0.03μm。
套刻精度主要與工件台和掩模台定位精度、光學對準精度、同步掃描精度等因素有關。定位精度、對準精度和同步掃描精度分彆約為套刻精度的1/5～1/3。即0.006～0.01μm。
而提高生產效率是光刻機實現產業化的必要條件。為了提高生產效率。必須優化設計激光器輸出功率、重複頻率、曝光能量控製、同步掃描等各個技術環節。並采用先進技術儘量減少換片、步進和光學對準等環節所需時間。
要想能夠完善所有環節。必須用漫長的時間去摸索。調試。這就需要大量的投資。雖然歐派微芯出錢。各大學和幾大光學所出技術。花了無數的錢。但是因為華國整體工業實力的不足。華國國產光刻機為了提高套刻精度。還是不得不降低生產效率。
華國九十年代研發的1微米前道光刻機相比於進口產品。效率一直差得比較多。就是這個原因。所以為了提高生產效率。孫祖傑很早就想到了阿斯麥的雙工作台。
雙工作台係統。使得光刻機能在一個工作台進行曝光晶圓片。同時在另外一個工作台進行預對準工作。並在第一時間得到結果反饋。這樣生產效率可以提高大約 35%。精度提高 10%以上。
但是雙工件台係統雖然僅是加一個工作台。但技術難度卻不容小覷。對工作台轉移速度和精度有非常高的要求。
華國工程師從磁懸浮技術得到啟示。利用華國在永磁體領域的領先。正在全力開發磁懸浮工作台。目前實驗研究已經有了不小的突破。實驗發現精度確實有了不小的提高。
現在有了193nmArF光源。有了浸沒式光學鏡頭。又有了雙工作台的突破。專家們經過研究認為根本沒有必要再跟著西方的技術路線亦步亦趨。歐派微芯完全可以直接攻關0.1微米左右線程的浸沒式光刻機。
因為使用 193nmArF光源的浸沒式光刻機。波長直接縮短為134nm。這樣新型光刻機可以直接從0.1nm左右線程起步。再通過光學鄰近效應矯正等技術後。其極限光刻工藝節點甚至可達 28nm。
要知道在1997年。此時主流的光刻機線程也不過0.25微米。采用的還是KrF248 nm光源。而倭國正在研發的193nm乾式光刻機線程也僅僅是0.18微米。下一步才是0.13微米。90nm。
也就是說采用另外一條技術路線的華國人有3到5年的寶貴追趕時間。有這個時間應該有機會取得突破。
隻要這款光刻機被攻克。華國就很可能實現彎道超車。為此賭一把絕對是值得的。畢竟華投有了相應的技術積累。
除此之外。還有一個好處。那就是193nm乾式光刻機到了65nm左右時。差不多快到極限了。而采用華國路線。線程可以直接到達30nm左右。都問題不大。
所以到達這段線程區間時。歐美要麼更換光源全部推倒重來。要麼與華國交換技術。前者需要大量投資。而後者有現成的技術。到時候除非資本家腦子短路了。否則他們一定會與華國交換專利。因此華國的技術路線。明顯才是未來。那麼現在投入再多。也是值得的。
就在1998年初。更換了身份之後的孫祖傑。以華投決策小組組長的身份。出席了新型光刻機的研發動員大會。林先生也參加了這次動員大會。
這幾年林先生的研究團隊精力都放在天翼那條0.5微米芯片生產線的調試和改進上。並沒有權限知道華投在光刻機領域的那些秘密。