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2月19日。
黃修遠一行人，終於回到了汕美。
一回到汕美，陸學東就找上門來，倆人來到半導體實驗室。
更換了全身防護服後，倆人進入一個無塵室內，在一個工作台上，陸學東興奮地指著一塊半透明的薄膜：“修遠，你看看這個。”
那薄膜非常輕薄，四個邊是一種夾子，將薄膜牢牢地固定住。
“納米線編織的薄膜?”黃修遠顯然知道是什麼東西。
陸學東點了點頭：“就是納米線，三天前我們成功合成了強度比較強的矽納米線，強度已經可以維持編織操作。”
打開一旁的內部電腦，找到檢測報告，其中還有透鏡電子顯微鏡的檢測畫麵。
他看到了排列整齊的矽原子畫麵，這和他記憶之中的畫麵，幾乎是一模一樣。
黃修遠轉動椅子：“磷、硼、砷、鋁呢?”
“磷線、砷線已經有一些思路，六邊氧化矽可以合成磷納米線，隻是目前的強度還有問題，正在改進中。”
陸學東停頓了一下，接著說道：“硼和鋁方麵，我從五邊氧化矽嘗試著，雖然勉強通過了，但是一直沒有辦法合成納米線。”
對於這個情況，黃修遠確實一清二楚，他說出了自己的思路：
“不用在無邊氧化矽上浪費時間了，為什麼不從七邊氧化矽這邊下手。”
“七邊氧化矽?可是氧族並沒有適合的半導體材料。”陸學東有些不解。
“哈哈。”黃修遠笑了笑：“為什麼不讓氧原子做帶路黨。”
陸學東一愣，瞬間反應過來：“這確實有可能，隻是形成納米線後，混雜其中的氧原子如何清除?”
“你不會忘記，氮16的另一個特性吧?”
被他提醒後，陸學東頓時眼前一亮。
因為氮16除了強催化的功能，還有另一個功能，在強紫外線和特定溫度下，氮16分子會分解成為氮氣，如果周圍存在氧原子，氮16會和氧原子強製結合，生成一氧化氮（no）。
就算是氧化物中的氧原子，也沒有辦法阻擋氮16的強製結合。
如此一來，氧化鋁、氧化硼形成的納米線，就可以通過氮16，去除其中的氧原子，形成單質的鋁納米線、硼納米線。
陸學東打算嘗試一下，而黃修遠卻知道其中的合成技術：“這一部分交給我吧！”
“好。”
回歸科研工作的黃修遠，帶著十幾個研究員，嘗試讓氧化硼、氧化鋁、氧化銅，形成納米線。
在材料實驗室中。
一台七邊氧化矽—篩合器，漏鬥狀的上側容器裡麵，裝滿了氧化硼粉末。
這些氧化硼（三氧化二硼）粉末，都是經過過篩的單分子狀態，也是最適合作為合成原材料的狀態。
由於氧化硼一般以無定形狀態存在，通常難以形成晶體，但是經過高強度退火後，也可以形成晶體。
嘗試了十幾次後，黃修遠改進了實驗加熱方式，采用了激光器聚焦在七邊氧化矽的噴出口處。
這是一個非常精細的工作，連續燒毀了上百張七邊氧化矽薄膜後，才調試出合格的位置。
激光器聚焦的位置，距離七邊氧化矽的噴出口，僅僅隻有23納米左右，這個距離已經是極限了。
倒不是不可以繼續逼近，而是再靠近噴出口，激光會迅速燒毀七邊氧化矽薄膜。