“……”
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想了想，周啟仁決定不去吃午茶，跟瑪格麗說了句“我還有論文要寫”，然後便匆匆的回實驗室了。
接下來兩天，周啟仁就跟著了魔一樣，有生物電的輔助，用雙滲雜技術和垂直冷卻法拉出了矽和鍺，製作出了十個純度不是很高的鍺基NPN結式晶體管和鍺片上的集成電路，其中的晶體管和被動元件是用鋁條連接起來的。
這種最簡單的集成電路離前世動輒納米級的芯片還有十萬八千裡，但是離自己的登月計劃更近了一步。
1947年12月23日，美國貝爾實驗室正式地成功演示了第一個基於鍺半導體的具有放大功能的點接觸式晶體管，標誌著現代半導體產業的誕生和信息時代的開啟。晶體管可以說是20世紀最重要的發明，到今天已經兩年多了。
從實用的角度來看，點接觸式晶體管的產量非常有限，不能算是商業上的成功；周啟仁製造出來的這個結式晶體管卻使得現代半導體工藝成為可能，為許多半導體公司的興起做出了重大貢獻。
半導體科技的發展是材料、物理和器件這三者相互促進、相輔相成的結果：為了製作性能好的器件，需要了解材料的物理特性以及相應的物理過程和規律，而這又需要可靠的儀器來測量質量足夠好的材料。
半導體科學研究始於19世紀初葉，那時候研究的都是自然界裡的材料(礦石晶體)。
1833年，法拉第在研究硫化銀的電導時，第一次觀察到電阻的負溫度係數。
1873年，史密斯在體材料硒中發現光電導效應。
1874年，布勞恩在一些金屬硫化物表麵發現了整流效應。
1876年，亞當斯和戴伊在硒材料裡發現了光伏效應。
1879年，霍爾發現了現在所謂的“霍爾效應”，並在某些材料中發現了帶有正電荷的載流子。
也就是說，在晶體管發明之前70年，人們已經發現了半導體材料的幾大基本特性：電阻率的負溫度係數和光電導效應(都是體材料的效應)，光伏效應和整流效應(某種半導體與其他材料之間的接觸效應)，存在正電荷的載流子(這就是半導體中的“空穴”)。
在這個時期，人們既不理解決定材料特性的基本理論，也不能自己製備高質量的材料，表征技術也很粗糙，隻能用試錯法來摸索。
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