星辰在半導體領域已經深耕了許久，其技術積累早已非常深厚，涵蓋了多個方麵。
與後來夏國在芯片領域遭遇製裁後，所麵臨的如何繞過國外技術專利的困境不同，如今的最前沿技術幾乎都握在星辰手裡。
在芯片製造工藝上，星辰公司早已走在了行業的前列。
想要達到快速研發7納米工藝這一目標，其中的捷徑道路公司早已掌握，那就是多重曝光技術。
這種技術能夠充分利用已有的光刻設備，通過多次曝光和疊加的方式，實現更精細的電路圖案製作。
製程的縮小實質上就是晶體管尺寸的減小，這同時也意味著量子效應開始逐漸顯現。
當芯片尺寸縮小到幾十納米以下時，量子效應就開始對芯片的性能產生影響。
在28納米以上的製程中，這種效應雖然存在，但還不是特彆明顯。
然而隨著尺寸的進一步縮小，量子效應的影響就變得越來越顯著，對芯片的性能和穩定性都提出了更高的挑戰。
孟玉竹等人之所以卡在突破14納米工藝前的最後一關，原因也在於此。
江辰的完善正是針對量子效應問題，在設計器件結構上減少問題的出現。
但接下來芯片尺寸的進一步縮小，量子效應會更加明顯，成為了整個團隊需要解決的頭號問題。
會議上，孟玉竹正向成員們詳細闡述著當前麵臨的技術難題
“大家應該也清楚我們之前遇到的難題量子隧穿效應。
這種效應發生在電子在極其微小的區域中運動時，它們的行為會變得異常詭異。
電子在這種情況下會違反經典力學，有可能穿入或穿越原本看似不可逾越的勢壘，直接從一個區域跳躍到另一個區域。”
她接著說道
“董事長之前提出了一係列改動，就是優化器件的結構設計，以期降低電子隧穿的概率，這在14納米工藝當中很適用。
不過在研發7納米工藝節點下，這種方法的有效性我也不確定。”
“除了優化器件結構這一途徑外，我們還考慮過其他常規手段。比如使用屏蔽層來隔離電子或者引入絕緣材料來限製電子的隧穿行為。”
很快就有成員提出了另一種解決辦法。
但所有人心裡都清楚，這些方法都隻能在一定程度上起到限製和減少隧穿效應的作用。
想要徹底根除或解決量子隧穿效應，目前來看還遠遠無法實現。
江辰坐在一旁，靜靜地思考著孟玉竹之前提出的關於量子效應的問題。
量子效應確實如孟玉竹所說，是一種違反經典力學的現象，但卻能在量子力學理論中找到合理的解釋。
想要徹底解決這個問題，最好的途徑必然是從量子技術入手。
孟玉竹他們對量子技術的了解並不深入，但江辰卻不同。
公司最初的芯片技術就是他通過係統兌換來的量子芯片技術。
而在這其中有一項關鍵技術如今正好可以派上用場，那就是量子糾錯編碼技術。
然而他也明白，這種技術用在碳基芯片上可行，但對於目前主流的矽基芯片來說，他還需要再仔細想想如何應用。
就在大家集思廣益，討論不休的時候江辰突然開口說道
“其實，還有一種更好的辦法。”