在湖山接下來一周多時間，胡一亭全身心投入閃存顆粒設計之中。
因為湖研院研發的三項目前國際領先的新技術技改已經有了初步成果，所以之前對閃存顆粒進行了第一輪工程流片，已經拿出了數量極少的工程樣品，但目前湖研院的實驗室0.35微米製程還不成熟，嘗試實驗流片下，良品率低的要死，連續做了五張晶圓後經測試隻得到11片合格產品。
但好在隻要有了樣品就會讓講解變得直觀，胡一亭可以就樣品對湖研院和從北都央研院趕來參與研發的諸多工程師們進行有針對性的解釋，其中就有剛剛碩士畢業加入重光進行博士實習的曹玉暖，和已經在湖研院駐紮了一個星期的趙赫等北都趕來的芯片設計人員，當然還有從成光所過來的專家們，而還未離開湖山的馬所也在其中，得知胡一亭今天要對國內第一次0.35微米工程流片進行技術講解，他特意推遲了回成都的日程。
湖研院裡有內部鍋爐，暖氣片成天都燒的滾燙，會議室熱的讓人冒汗，胡一亭隻穿了件白長袖襯衫，單薄的羊毛西褲站在會議室前，對著電腦將樣品在電子顯微鏡下拍攝的一張張照片用幻燈機投在屏幕上，芯片上以納米為單位的微結構被放大如鬥，
他昨晚在辦公室睡了一宿，此刻精神飽滿，對著長桌兩側三十多雙睿智專注的眼神，侃侃而談道：“這些照片大家開會前都已經看過，對柵極埋入層的形貌結構心裡也都有數了，我來給大家分析一下，看看和大家自己做出的分析是不是一樣。”
“首先我認為，我們這次工程流片之所以會出現大批不能讀寫的次品，良品率極低，主要原因雖然有湖研院目前的0.35微米實驗製程不成熟，但再怎麼不成熟，良品率也不能這麼低，真正搞出次品的原因是因為我們的埋入晶圓的柵極擴散層形態異常。”
會議室裡大家都鬆了口氣，尤其是目前正在攻關實驗室0.35微米製程的工程師們，都覺得胡一亭這句話實在是對他們的最大安慰。
“大家看這張電鏡探傷圖，左邊是這次的良品，右邊是這次的不合格品，左邊正常形態下的埋入層擴散結構和右邊的區彆是很明顯的，我知道大家現在一定在想，為什麼會出現右邊這些次品？
問題出在哪呢？我來告訴大家，根據我的判斷，這是因為我們擴散層離子注入時，因為注入機的真空度不夠，從而引起埋入擴散層的氧化膜厚度中間薄周邊厚，薄的部分隔離差，造成中間漏電。”
台下工程師們有的表情恍然大悟，有的則是興奮地點頭，表示不出所料，胡一亭的判斷和他們一樣。
胡一亭繼續道：“這個問題我不展開細說，前段時間我不在，做壞了情有可原，反正總算還鍛煉了隊伍，提高了大家攻關克難的經驗，我認為失敗也是好事，給了我們總結的經驗嘛，要是不出事，我倒覺不好，那樣一來大家反而什麼都學不到。”
胡一亭繼續道：“之前經過奚所與長沙光電設備研究所也就是電科48所緊急協調，他們立刻派了團隊，並帶來了他們目前正在研發中的新型離子注入機的改良版真空部件，目前正在對我們的舊型號設備進行升級改裝，從他們給出的新設備真空參數來看，改裝升級以後應該就能馬上解決問題，過幾天第二批工程流片出來以後，大家對著電鏡圖片就能看出區彆了。”
在座的工程師們有的心裡還是懸著，擔心這次改裝升級要是依然解決不了問題可怎麼辦呢，但大多數人都對胡一亭心服口服，覺得他能一眼看出問題的關鍵已經不簡單，而又能夠立刻尋找出解決問題的答案，這就更難了，這得是多麼專業多麼老道的經驗啊！這哪是一個18歲的青年！簡直像一隻在製程工藝研發裡泡了多年的狐狸精。