胡一亭繼續切換ppt，“目前我們能做的隻有繼續在sh-memory技術上進行發展，繼續依靠半導體器件的電荷俘獲原理，通過改進傳統的浮柵結構，發展與普通邏輯工藝相兼容的新技術。
我個人這次發明的這種新技術，我稱之為multi-level-cell，簡稱mlc，而傳統sh-memory閃存工藝我稱之為single-level-cell，簡稱slc。
顧名思義，這兩者區彆在於傳統slc是單層式存儲，而我發明的mlc技術是多層式存儲。”
胡一亭說完，整個會議室騷動起來，大家的興趣完全被他調動起來。
趙赫激動道：“胡總，這個多層存儲究竟是怎麼回事？是不是把兩個芯片疊在一起做封裝？這要怎麼搞？”
胡一亭笑道：“彆急彆急，我這就說，但不是你想的那樣，pop疊層封裝工藝並不能降低閃存成本，兩片顆粒疊加封裝隻能增加單芯片容量而已，價格也隻會更加昂貴，和我說的mlc構造是兩碼事。”
說著胡一亭切了一張自製的ppt，開始對著自己昨晚鬼畫符般做出的簡圖介紹起mlc構造的特點來。
“大家看啊，這個多晶矽柵下麵是三層絕緣薄膜，這三層薄膜分彆是隧穿氧化層、氮化矽、屏障氧化層，其中氮化矽具有極高的電子陷阱密度，可以捕獲電子，達到存儲電荷的目的，帶電就是1，不帶電就是0，這是常識了。
我們都知道半導體中有兩種載流子，一種是電子，一種是空穴，我們在對單元進行寫入操作時，采用熱電子注入法，將熱電子注入溝道邊緣的氮化矽，這樣就完成了寫入過程。在作擦除時，利用價帶間的空穴，將空穴注入溝道邊緣的氮化矽，消除電荷，就完成了擦除。
接下來我說關鍵點，大家看圖，由於氮化矽的絕緣性，熱電子效應產生的電子隻能被注入並限製在溝道邊緣，這樣一來，兩側溝道一旦全部帶電就是11，全部不帶電就是00，可我們一旦把兩側溝道其中一側進行單獨擦除，就會出現四種情況，一種是01，一種是10，於是我們就在不進行複雜工藝改變的前提下，讓現有的sh-memory容量增加了一倍！”
胡一亭對著圖片解釋完之後，會議室裡一片嘩然，科學家工程師們先是麵麵相覷，隨即手足無措，接著便開始坐立不安，最後全都開始叫好稱讚起來，甚至有人開始鼓掌。
其中趙赫更是歡喜的抓耳撓腮，他已經被胡一亭勾引的失去了理智，急忙道：“胡總你太神了，你這是怎麼想出來的！這可是專利啊！是重光的專利啊！我們得趕緊實驗！趕緊寫論文申請專利！”
曹玉暖也歡喜的鼓起了掌：“胡一亭你的設想太完美了！我覺得可行！真的可行！這個路子怎麼以前就沒人想到呢！你真是天才！我就知道你是最棒的！”
胡一亭看著大家的興奮勁，心想這哪是我想出來的啊，這是以色列saifun公司搞出來的sonos-falsh技術，被英特爾在97年9月正式公布並申請專利，同時應用到他們的閃存產品中的設計，自己不過是拾人牙慧罷了。而且今後自己還將拿出另一種多電壓控製柵極多層注入電荷技術的mcl產品，徹底統治mlc閃存專利市場，直到把閃存技術推向tlc和3d-nand製程！
這時奚龍山突然開口問道：“胡總，我有個問題，你這麼一搞，的確讓一個存儲單位可以承載四個信息，比以前翻了一倍，可接下來怎麼讀取呢？”
胡一亭笑了起來：“這四種情況的電壓是不同的呀，我們隻要設計出一套解碼電路，用於讀取並解析數據就行，根據我的初步設計，可以把0.5v-2.5v設定為11，2.5v-4v設定為10，4v-5.5v設定為01，5.5v到6v設定為00，具體的解碼電路設計我已經有了腹稿，這款芯片的初步設計我已經胸有成竹，上周我已經把slc芯片設計改良完成，本周我就把這款mlc的芯片設計拿出來，下周就能進行製程工藝流程的設計，最晚月底，我們就對這款mlc進行第一次工程流片！”
說完胡一亭意氣風發，高高舉起右手指著天花板：“我告訴大家！重光將成為世界上第一家采用mlc技術的閃存設計企業！重光的專利將永載史冊！而這項專利必將讓我們得以擺脫目前所受的英特爾和東芝的閃存專利束縛，抵消我們需繳納給國際閃存技術聯盟的專利費！並很有可能反過來賺他們的錢！”
奚龍山驚訝的合不攏嘴，上唇哆嗦著，輕聲感慨道：“胡總……真神人也……”