曹玉暖的連續提問讓會議室裡氣氛熱烈起來，大家都覺得既然一個博士實習生提出的問題胡一亭都耐心解答，那自己提一兩個深奧些的問題也不算丟人吧。
在這種心態下大家也變得放鬆起來，一個個問題接踵而至，胡一亭對此也都毫不厭倦，一一耐心作答。
在回答了二十多個問題以後，眾人對胡一亭的技術底蘊和知識深度有了直觀認識，大家終於明白，胡一亭的技術背景已經不能用成熟來形容，簡直可以稱得上博大精深！
成光所馬佳光所長在會議桌旁安靜地聽著，心中驚異莫名，一係列問題之後，他清楚地認識到，胡一亭這種水平完全可以媲美西方頂級半導體實驗室首席科學家的程度，沒有十幾年的製程與芯片設計功底，根本不可能對這麼多問題舉重若輕，對這麼多技術案例信手拈來，他對製程工藝的掌握和對製程設備的理解，可以說高於國內自己見過的所有專家！
“天才難道就是這樣的嗎？他才18歲啊……我18歲的時候在乾嘛呢……難道胡一亭是從小就在半導體實驗室裡泡大的不成？實在是無法解釋啊……”
胡一亭說的口乾舌燥，眼看著大家的問題告一段落，便低下頭繼續翻動自己做的ppt。
“嗯，接下來我給大家講一下，這是我發明的一個新技術。”
一聽說又有新技術要誕生了，在座的科學家和工程師們立刻豎起了耳朵，生怕漏過一絲信息。
胡一亭指著投影屏幕道：“這是我做的關於存儲器技術發展的一個路線圖，大家可以看到，從存儲器誕生以後，出現了揮發性存儲器和非揮發性存儲器，其中非揮發性存儲器的地位越來越重要，從1970年誕生了以浮空多晶矽柵為基礎的可擦除隻讀存儲器eprom之後，國際上的存儲半導體技術並沒有絲毫裹足不前，而是正在不斷加速前進。
eprom需要從係統上取下後暴露於紫外光下進行擦除，且每次擦除都完全抹去所有信息，這樣使用很不方便，目前已經逐漸退出市場。它的替代物是後來出現的電可擦除eeprom，從此存儲器就實現了在電路中靈活編程。
之後在eeprom的基礎上，又發展出了快閃存儲器sh-memory，比起每次隻能操作單字節擦除的eeprom，sh-memory可以允許同時擦除全部陣列單元的存儲信息，因此目前圍繞sh-memory技術的開發，國際上已經形成了一股潮流，科技界對於這一器件的未來非常看好，西方各大廠商都試圖在這一領域取得技術突破。
目前來說，國際上認為，隻有不斷在製程線寬上做文章，才能把閃存做的更大，因為芯片麵積想要做大難度很高，麵積增加帶來的成本上升曲線是陡峭的，非常劃不來，所以隻有采用最先進的線寬才能在同樣大小的閃存顆粒上集成更多的存儲單元。
但是我們應該明白，製程線寬的提升是很慢的，按照摩爾定律的升級速度，晶體管數量要18個月才能翻翻，也就是說閃存芯片的容量被摩爾定律鎖住了。
這是不可以接受的！
至少對於我們這些搞技術的人來說是無法接受的！我們決不能被摩爾定律捆住手腳。”
此言一出，大家都愣住了，心說你胡一亭是牛，這我們承認，可你要挑戰摩爾定律，這大話可就說的太離譜了，不提高線寬的前提下，你就是把設計做出花來，晶體管數量也還是那麼多，怎麼可能提高存儲容量呢？
胡一亭知道大家的困惑，繼續道：“其實方法是有的，我今天要介紹的就是我思考出的一種突破閃存容量上限的新技術。”
胡一亭切換ppt圖片，“目前國際上有些專家也對此闡述過一些技術，我總結下來有三種，一種是質子非揮發性存儲器；第二種是納米存儲器；第三種是單電子存儲器。
我想說的是，這些都不靠譜，至少三十年內看不到商業應用的前景，因為無論從材料學還是從工程學角度，這些目前都是科幻裡才能實現的技術，實驗室裡進行少量晶體管質子存儲實驗，或者用一兩個碳納米管驗證可存儲性能，或者用精密儀器實現單電子操縱，這都可以，但一到工程上就行不通了，大麵積的工程應用做不出來就等於白說，現在誰都不知道要用怎樣的設備和工藝去進行大規模製造，所以我們不要去考慮這些概念。”