第三百零四章 謀劃超S(1 / 2)

劉焱當初投資研發光刻機,本來就沒想過依靠它盈利,量產型號的光刻機,對外售價隻有百萬人民幣。

這個價格隻有國外同類產品的三分之一左右,可謂是物美價廉。

可惜這年月,內地的晶圓工廠大多不成氣候,後續訂單就算有,也不會有太多。

好在維創電子公司自己就有晶圓工廠,且盈利豐厚,隻要自產光刻機能完美替代進口產品,且能跟隨摩爾定律不斷升級進化,花再多的研發資金也是值得。

表彰大會之後,劉焱召集全體光刻機研發室實驗室成員,召開了一個研討會,對下一步的研發計劃和研發方向進行了部署。

在研討會上,劉焱代表維創電子公司率先發言,說道:

“一微米光刻機已經研發成功,並定型量產,在座的諸位功不可沒。

但這一切都已經是過去式,接下來,咱們要在一微米光刻機的基礎上,再接再厲,研發0.5微米製程的光刻機。

我代表維創電子公司表個態,不管研發過程中遭遇怎樣的困難,需要投入幾億,十幾億,甚至幾十億的研發資金,我們維創電子也在所不惜。

接下來,有請廉教授就下一代光刻機研發計劃,做一下總體規劃。”

廉安平教授拿出一份手寫的稿子,清了清嗓子說道:

“當初劉老板提供的光刻機研發資料中,有一份0.5微米光刻機研發概要,點明了幾個研發要點,包括光源,透鏡係統,雙工台,掩模台等等。

其中雙工台、掩膜台、控製係統、晶圓傳輸係統,可以通過一微米光刻機的相關部件進行升級改造達成,難度不是太大。

但為了達到0.5微米的加工精度,光源係統和透鏡係統需要重新設計,重新打造,這個難度不是一般的大。”

烏光輝跟著發言道:

“我是搞激光技術出身,在光刻機光源方麵有一定研究。光刻分辨率想要達到0.5微米,光源波長需要達到365nm以下,且對光源強度和均勻度都有非常嚴格的要求。咱們在一微米光刻機上使用的高壓汞燈,理論上其極限能達0.35微米的加工精度,但需要對其結構進行徹底的改造,且越是接近極限,越難以達成。

而被業界普遍認定是下一代光刻機光源的KrF(氟化氪)準分子激光,光源波長為248nm,可以使最小工藝節點提升至350-180nm水平。當今世界上,很多激光相關的研究所,都在對準分子激光進行研發,進度參差不齊,達到實用水平的,一個都沒有。

我的建議是,在光刻機光源方麵,兩種線路同時研發,哪個率先取得突破,下一代0.5微米光刻機上,就使用哪一種光源。”

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