臨安，蘇省大學微電子學院。
“通入六甲基二矽胺烷……”
“矽片脫水完成，增粘處理完成，開始旋轉塗膠。”
“……”
這已經是他們不知道進行了多少次的實驗流程了，除了操作員時不時進行流程彙報之外，實驗內悄然無聲。
數十名研發人員都靜靜地堅守著自己的崗位，偶爾抬頭看一眼設備運行情況，以及站在操控台中間的那位老人。
“塗膠檢測完畢，未發現氣泡，開始曝光前烘……前烘完畢，光刻機準備曝光……”
在實驗有條不紊的推進中，終於到了曝光環節。
每次進入曝光環節，那短短的十秒鐘，都讓吳利鴻感覺像一個世紀那麼長……
而在曝光的過程中，加裝在工件台的的測量儀器也在同時進行瘋狂的數據收集。
“曝光結束，進入後烘環節，曝光數據正在分析中……”
“曝光過程總產氣量……”彙報結果的研究員停頓了一下，然後用顫抖的語氣念出了數值，“289立方納米！”
嘩——！
聽到這個結果，整個實驗室都頓時安靜了下來，隨後便是陣陣驚呼聲。
“竟然真是光致產酸劑BR-側鍵的問題！”
“吳院士牛逼啊！”
“……”
雖然後烘的具體數據還沒出來，但光是這個產氣量的數據，就已經稱得上是史無前例的重大突破了！
塗滿12寸的矽片光刻膠，在曝光的過程中，才產出了僅僅289立方納米的氣體，
而這麼小的產氣量，光刻膠的曝光邊緣肯定非常光滑平整。
這就意味著更高的清晰度，以及更低的製程。
可以說，他們已經徹底解決了光刻膠最棘手的產氣量問題！
吳利鴻聽到這個數據後，臉上也不禁浮現起了一抹如釋重負的笑容，但這卻讓他的臉上的皺紋褶子更多了……
過了大約十分鐘，曝光後的矽片也已經完成了後烘，並對曝光部分的光刻膠進行了溶解清除，然後又進行了一次堅膜烘焙，加固光刻膠形成的電路保護膜。
接下來，就是他們這個實驗環節最重要的電路圖像清晰度分析了。
而最終的分析結果也果然不出他們所料，在降低了98%的產氣量後，他們得到的電路保護膜，表麵非常光滑平整，沒有出現任何坍塌變形！
“膜厚正常，套刻精度正常！”
聽到這個結果，所有人頓時都激動的看著吳利鴻。
事實上實驗進行到了這一步，已經基本可以肯定他們的EUV光刻膠，已經達到了13.5納米的製程標準。
因為他們蘇省微電子的所有精力，都用來研發光刻膠了，對多重曝光等壓縮製程的工藝，沒有太多的研究，所以13.5納米隻是他們研究所的最小製程工藝。
而這款光刻膠具體的最小製程，得找申城矽產業或者立昂微來做進一步的驗證，尤其是最早拿到EUV光刻機的申城矽產業，經過這幾個月的摸索調試，他們已經把製程工藝推到了5nm。
不過為了穩妥起見，吳利鴻還是按捺住激動的心情，對大家開口道：“立即準備蝕刻實驗驗證，確認最後的環節沒問題再送到申城矽產業去。”
“明白！”
研究員們聽到後，頓時又開始忙碌了起來。
本來按照他們之前的實驗流程，實驗到了這一步基本就是失敗了，這次其實根本就沒有做好進入蝕刻環節的準備。
但麵對這個意想不到的巨大驚喜，大家卻沒有一絲‘臨時加班’的怨言，一個個都吭哧吭哧地開始重新準備實驗。
兩個小時後，最終結果終於出爐了。