由於已經臨近過年，園區內的一線工人和員工並不多。
按照陸光明的介紹，公司在年前已經完成了首批1200名一線工人的培訓，過完年回來就能正式開工生產。
當然了，相對於這麼大個科技園，1200名工人肯定是不夠的。
按照一期的配套規模，至少要近20000名流水線工人才能玩轉起來。
現在銷路還沒徹底打開，暫時還不用一下子招聘這麼多人而已。
知道江飛宇是外行，陸光明介紹得很詳細。
說到半導體製造，就不得不說工藝。
無論你生產什麼半導體產品，涉及的生產工藝都會達到數百這個級彆。
而這些工藝，又可以歸納為八大步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。
第一步，晶圓加工。
所有半導體的加工，都始於沙子——矽。
矽，是生產晶圓所需要的原材料。
要提取
高純度的矽材料需要用到矽砂，一種二氧化矽含量高達95%的特殊材料。
所謂晶圓，就是將矽製成的單晶柱體切割形成圓薄片，並進行拋光處理。
這個過
程中，最重要的就是對矽進行提純加工。
第二步，氧化。
氧化過程的作用，是在晶圓表麵形成保護膜。
它的作用很多，可以保護晶圓不受化學雜質影響、避免漏電影響電路、預防離子植入過程中的擴散，以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。
第三步，是光刻。
光刻是過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表麵繪製所需的電路圖。
電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高。
這裡的操作，就必須用到光刻雞（這居然是敏感詞，離大譜）才能實現。
我們經常聽說的14nm、7nm、5nm芯片，指的就是“印刷”的精細度。
具體來說，光刻可分為塗覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。
第四步，刻蝕。
在晶圓上完成電路圖的光刻後，就要用刻蝕工藝來去除多餘的氧化膜，並且隻留下半導體電路圖。
要做到這一點，就需要利用液體、氣體或等離子體來去除多餘的部分。
第五步，薄膜沉積。
為了創建芯片內部的微型器件，我們不僅需要不斷地沉積一層層的薄膜，還要添加一些材料將不同的器件分離開來。
我們所說的“薄膜”，一般是指厚度小於1微米（
百萬分之一米）、無法通過普通機械加工方法製造出來的“膜”。
將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程，就是“沉積”。
第六步，互連。
半導體的導電性處於導體與非導體之間，這種特性能夠容易掌控電流，將這些單元連接起來實現電力與信號的發送與接收，就是互連過程。
第七步，測試。
測試的主要目標是檢驗半導體芯片的質量是否達到一定標準，從而消除不良產品、並提高芯片的可靠性。
最後一步，封裝。
經過之前幾個工藝處理的晶圓上會形成大小相等的方形芯片，通過切割獲得單獨的芯片。
剛切割下來的芯片很脆弱且不能交換電信號，需要在芯片外部形成保護殼和讓它們能夠與外部交換電信號就是封裝過程。
這裡麵涉及的跨專業知識很多，江飛宇也隻是了解大概流程。