“嗬嗬……”
方鴻看到這條新聞不禁笑了，自顧自地說道：“看來，多少還是有點急眼了啊，急眼就對了。”
國產光刻機對標世界最先進水平其實還有很長的一段距離要走的，可是今年上半年以來，大基金的出現讓國際上的那些廠商感覺到了“不對味兒”，他們一開始就嘗試要滲透、孵化大基金的管理層。
可他們並沒有意識到，這會兒的大基金管理層團隊雖然明麵上和群星資本沒什麼關係，但實際上都是方鴻派過去的人，而結果就是他們發現滲透、孵化這一招收效甚微。
現在大基金的前都在落地到實處，比如這主攻光刻機的新微半導體就拿了不少錢，而且昨天借殼上市又向資本市場要了105個億，幾乎提供了花不完的錢。
拿了那麼多的錢，基本都砸到研發項目裡。
目前新微半導體同時在搞三代光刻機，因為光刻機的研發生產並不需要由低到高、循序漸進，是可以平行研發的，所以新微半導體直接起了三個團隊並行研發。
這三個團隊分彆攻關第四代ArF光刻機，第五代ArFi光刻機，以及第六代極紫外光EUV光刻機。
第四代的ArF光刻機與第三代KrF原理一樣，但光源升級，采用193nm光源的光刻機，這兩種稱之為DUV光刻機。
而第五代ArFi光刻機，采用的也是193nm光源，但這種又與ArF不一樣，之前所有的光刻機其介質采用的是空氣，但到了ArFi光刻機時，采用的是水。
光線在經過水時，會有折射，所以雖然ArFi光刻機采用193nm波長光源，經水折射時，等效於134nm波長的光源，所以這種光刻機，叫做浸潤式光刻機。
說起來，曾經業界光刻機技術停止了很多年，尼康、佳能想把光源從193nm升級為165nm，但好多年沒成功。
而抬積電提出來用水作介質，就跳過157nm，變成143nm了。
尼康、佳能很傲慢，不理抬積電，那時候ASML隻是個小廠，也敢於一試，最後就搏出了ASML的未來，研發出了ArFi浸潤式光刻機，然後打得尼康、佳能一敗塗地，成就了今天的行業地位。
而第六代EUV光刻機，采用的則是13.5納米的極紫外線光源了，這種光刻機目前全世界都沒有搞出來，ASML也一樣，針對的事7納米製程級彆的芯片製造，而當前世界最先進的製程是在14納米這一階段。
可以確定的，整合國內光刻機產業鏈的新微半導體，其技術水平就是代表了目前國產技術的最高水平，現在是把所有的相關資源都砸在了新微半導體身上，由該公司對光刻機展開全力攻克任務。
像G線、I線國內都有了，KrF也有了，就是新微半導體突破的。
目前在攻克的ArF光刻機也已經快要突破了，並且正在全力死磕ArFi光刻機，同時對於極紫外光刻EUV的研究也有團隊在展開論證。
各代的光刻機開發團隊並行展開，同時也相互交流。
現在的新微半導體是要錢有人給錢，要人才方鴻這邊到處給他找，而且因為老美對技術、元件等進行了封鎖，在很大程度上非但沒有擊垮，反而因為外部的壓力促使內部變得更加團結一致死磕。
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