在此之前，能夠做到可編程，可讀寫，斷電後存儲數據不消失的半導體非易失性存儲器，隻有英特爾發明的EEPROM。
但是英特爾的EEPROM存在明顯短板，那就是讀寫性能差、難以提高集成度等。
也就是說，英特爾根本不適合存儲大容量的數據，因此隻能用於計算機的BIOS引導芯片，用來引導計算機操作係統的啟動。
而舛岡的解決思路，是“故意降低性能”。
簡單來說，EEPROM的擦寫數據方式是以字節為單位來進行的。
而到了NOR芯片當中，這些原本都拿著單獨號碼牌的數據，被打包成一個個“小集體”來看待，即以塊為單位來進行擦和寫。
在芯片裡，“號碼牌”本身就占據了電路的一部分，以前是一個房間一個號碼牌，現在變成了一棟大樓一個號碼牌，這麼一來，“號碼牌”就大大減少了，芯片的麵積自然就縮小了，容量也更大，雖然寫入速度變慢了，但是擦除速度卻變快了。
性能總體還是降低了，但是這個代價換來的卻是成本的巨大節約，達到了量產的要求。
而且速度也並非真正的慢，畢竟半導體內的電子都是以光速在運行，因此舛岡富士雄將之命名為FLASH，意思是速度像閃光燈一樣快的存儲，國內將之翻譯成了“閃存”。
閃存的出現毫無疑問應該是跨時代的產品了，然而就算到了現在，全世界絕大多數產商都沒有意識到它的真正價值，就算是舛岡富士雄所在的東芝，以及首先注意到閃存產業的INTEL，都將之定位在計算機的係統引導芯片這一狹小的應用範圍裡。
最關鍵的是舛岡富士雄在東芝內部完全不受待見。
舛岡富士雄二十八歲從日本半導體技術創始人之一——西澤潤一門下博士畢業，當時引得島國各大企業紛紛拋出橄欖枝，而他被東芝吸引的原因，是因為時任東芝超大規模集成電路研究所所長的武石喜幸的一句話——讓我們一起做一個不存在於這個世界上的東西吧。
就為這麼一個“大餅”，舛岡下定決心拒掉其他機會，投身東芝。
但因為其自由散漫的風格，無法讓公司高層認為他可以帶好團隊，雖然在進入東芝的第一年就搞出了SAMOS存儲器方麵的新專利，並以此推動東芝與英特爾簽署了相關交叉授權協議，卻隨後就被公司內部放逐了。
先是一度被調到銷售部門，卻業績稀爛。後來又在工廠裡折騰了好一遭，也沒有乾出啥成績。
最後還是當年挖掘他的伯樂武石喜幸抬了一手，在一九八零年把他撈回研究部門。
發明NOR閃存芯片之後，新發明立刻引起了英特爾的注意。他們很快為此聯係上了東芝和舛岡，並搶先在八八年量產了NOR閃存芯片。
也就是說，雖然閃存的概念最先誕生於東芝，但閃存產業的開創者卻是大洋彼岸的英特爾。
而且雙方其實都沒有如何重視這項發明。
因為其造價實在太高。
所幸在閃存研發團隊的危機時刻，研究所所長武石喜幸表了態：舛岡的做法符合技術發展的方向，那就好好做吧。
不僅如此，因為舛岡的團隊申請不下來開發資金，武石所長還把其他項目的資金分給了他們。
到了一九八六年，不甘心的舛岡富士雄再次走到了同行前頭，他發明了更便宜的NAND閃存，也就是現在大家手機裡都在用的那種。