但結合這些年來的不間斷研究以及技術進步，李青鬆決定，繞過28納米芯片，直接去研究更下一代的，20納米製程的芯片！
一旦20納米芯片研發成功，單枚芯片晶體管數量將會從約10億個，直接暴漲提升到40億個。
單枚芯片的綜合性能也將提升約60%到100%之間。
但這不是最重要的，最重要的是，更高製程的芯片，可以適配更先進的並行算法以及配套硬件，單台超算裡，李青鬆可以使用更多枚芯片並行運算，一台超算的算力大約可以在現有基礎上提升40倍！
前景如此美好，但直接從45納米提升到20納米，繞過28納米，顯然意味著巨大的障礙和極高的難度。
計算科技研究基地裡，李青鬆再度抽調了眾多克隆體，在原有研究基礎上，一同開始了對更先進芯片的研究之中。
短時間的預研之後，自己所需要攻克的技術難點分成了幾個大類，呈現在了李青鬆麵前。
“首先，我現在使用的深紫外光源波長太長，分辨率已經到達了極限，衍射效應導致圖案模糊，不能刻寫更小的晶體管結構。
其次，傳統的晶體管在這個尺寸下，短溝道效應明顯，功耗和性能難以控製啊。
還有，傳統的矽柵極介質物理特性不能滿足要求，這個也要改進……”
李青鬆將克隆體們分成了幾個大的團隊，分彆對各個方麵的難題展開攻關。
日夜不休的研究之中，首先是光源出現了突破。
李青鬆開發出了波長更短的極紫外光源，將光的波長縮短到了僅有約13.5納米，由此大大提升了分辨率。
除此之外，李青鬆還改變了之前的工藝，將之前的單次曝光，改為了多重曝光，便能通過增加工藝流程的方式，實現了加工精度的極大提升。
在這之後，李青鬆還找到了性能更好的材料，使用金屬柵極代替二氧化矽柵極，再次實現了技術突破。
此刻已經是半年時間過去。其餘大部分技術難題都被李青鬆攻克，唯有最難，也是最為重要的一個技術障礙仍舊橫亙在李青鬆麵前。
短溝道效應。
當晶體管的長度縮短到一定幅度之下後，電場分布和載流子行為會因為物理規律而發生一定的改變，而這會導致晶體管的閾值電壓下降、漏致勢壘降低等等一係列的問題，進而嚴重影響芯片性能和可靠性。
為了解決這個問題，李青鬆已經嘗試了上千種方案，包括優化晶體管分布於設計、提升材料性能、改進生產工藝等等，但最終被證明全部無效。
“彆的問題都解決了，就這個問題解決不了，這真是……”
李青鬆歎了口氣。
此刻，20納米芯片研究所消耗的時間和資源已經超出了預期，已經影響到了李青鬆的整體科研計劃。
但沒有辦法，半途而廢是不可能的。20納米芯片對李青鬆來說太過重要，不僅戰鬥AI要用，其餘的AI，包括工廠智能化設備、飛船智能化控製，甚至於基礎物理學和數學、化學、工程學方麵的研究，全都離不開更大算力的超算。
這一天，李青鬆仍舊控製著數萬名克隆體展開相關實驗，並額外調動了數千份腦力專門對這個問題展開思考。
便在這種情況下，一個念頭忽然間從某個克隆體的腦部生成，傳遞到了李青鬆的意識之中。
“既然平麵晶體管會導致短溝道效應，那麼……能不能把晶體管從二維結構改成三維？”