為了研發一種新型的推進器材料，李青鬆經常會展開大規模的推進試驗，耗費了不知道多少甲烷和氧氣。
更不要說有時候對某項關鍵技術展開攻關的時候，李青鬆更是會不計成本，直接抽調數百上千座工廠參與，抽調幾萬幾十萬名克隆體加入進來，消耗的資源更是驚人。
“科技研發進展不能停，也不能慢。未來甚至還要再次加速。
這樣的話，開發敵神星就是必然。
隻是要大規模開發敵神星，還需要幾項前置技術。
一，更高效率的推進技術。二，更先進的智能AI和芯片技術。三，初級的電磁彈射技術。
那接下來，就優先攻關這三項技術！”
李青鬆下定了決心。於是，伴隨著這三項技術的攻關開始，洛神星上的資源消耗速度不僅沒有減慢，反而再度提升了一些。
在李青鬆建造的芯片工廠之中，采用已經研究成熟的近紫外光刻技術，克隆體們經過一係列的流程，最終將晶圓放置到了光刻機之中，進行曝光作業。
它所使用的光源的波長約為400納米。使用這項技術，李青鬆可以大規模批量製造製程在800納米的芯片。
雖然相比起人類時代，800納米的芯片仍舊太過落後，但它總歸是實打實的納米級芯片，相比起之前可謂有了巨大的提升。
這種製程的芯片在李青鬆的技術發展之中起到了巨大的作用。它不僅提升了所有工廠的自動化水平，甚至還組建出了超級計算機，在科學計算之中起到了巨大的作用。
但現在，800納米芯片已經無法滿足李青鬆的需求了。
要開發敵神星，必然需要一定程度的AI技術和更強大的算力。
為此，李青鬆在原有的芯片技術研究基地之外，新建造了一個更大、技術也更先進的基地，全麵展開了對下一代光刻機和芯片技術的研究。
長達兩年時間的研究之後，新一代光刻機終於製造成型，在李青鬆略有些激動的心情之中，開始了新一代芯片的試製工作。
高度純淨的矽片被送入到了光刻機之中，
完成光刻膠的塗覆之後，采取更高頻率的深紫外光源的光刻機，使用波長約為200納米的紫外線對其進行曝光。
按照之前便完成的芯片設計方案，無數微小的電路出現在了這小小的一枚芯片之上。
再經過後續的摻雜、清洗、蝕刻、封裝等工藝，最終，一枚小小的芯片呈現在了李青鬆麵前。
這枚芯片，與之前舊工藝製造出來的芯片，大小一模一樣。
但李青鬆知道，這枚芯片上集成的晶體管，數量達到了10億個。而之前采取800納米工藝製造的芯片，其晶體管數量僅有約320萬個而已。
足足提升了300多倍！
雖然晶體管數量的提升並不能直接等同於性能的提升，但粗略估計的話，其性能提升至少也在百倍以上！
不僅如此，它的可靠性、能耗、發熱等方麵也出現了巨大的提升。
看著這枚小小的芯片，李青鬆心中滿是歡喜。
“45納米製程的芯片雖然也不是太先進，但至少，總歸是摸到了AI技術的門檻，可以在它的基礎上開發AI技術了！”